芯片可靠性测试是通过模拟芯片在全生命周期(通常 10-20 年)内可能遭遇的极端环境应力(温度、湿度、振动等)和电应力(电压、电流),评估其性能稳定性与失效风险的工程手段。其核心价值在于:
提前暴露缺陷:通过加速应力测试(如将 10 年寿命压缩至 1000 小时验证),筛选出早期失效的 "弱质芯片",避免终端应用中的突发性故障
验证设计边界:确定芯片在极端工况(如汽车芯片 - 40℃启动、工业芯片 125℃持续运行)下的安全工作阈值
支撑标准认证:满足 AEC-Q100(车规)、JEDEC JESD47(通用半导体)、MIL-STD-883(军品)等规范的强制性要求
与功能性测试不同,可靠性测试不关注芯片是否 "能工作",而聚焦于 "能稳定工作多久",是芯片从实验室走向量产的关键门槛。
芯片老化测试(Burn-in Test)是可靠性测试的核心环节,通过施加高温、高电压等加速应力,促使潜在缺陷(如氧化层缺陷、金属离子迁移)提前显现。根据应力类型和测试目标,主要分为以下类别:
1、高温老化(HTOL,High Temperature Operating Life)
测试条件:125℃~150℃高温下施加额定工作电压,持续 1000~2000 小时
核心目标:验证芯片在长期高温工作时的电迁移、热载流子注入等失效机制
典型应用:车规 MCU、工业 PLC 芯片,需满足 AEC-Q100 Grade 0(150℃)要求
德诺嘉老化座适配方案:采用镍钯金镀层探针(耐温 200℃),配合液冷散热模块,单座支持 16 颗芯片并行测试,温度均匀度 ±1℃
2、低温老化(LTOL,Low Temperature Operating Life)
测试条件:-40℃~-55℃低温下运行,持续 500~1000 小时
核心目标:评估低温下材料脆化、接触电阻漂移等问题
典型应用:航天芯片、极地设备用 IC
技术难点:需解决探针低温收缩导致的接触失效,德诺嘉采用铍铜 - 钛合金复合探针,在 - 65℃仍保持 10mΩ 以下接触电阻
1、高温反向偏压测试(HTRB,High Temperature Reverse Bias)
测试条件:125℃高温下施加反向击穿电压的 80%,持续 1000 小时
核心目标:验证功率器件(如 MOSFET、IGBT)的 PN 结漏电稳定性
德诺嘉创新设计:集成高压隔离模块(耐压 1000V),支持 SiC 芯片批量测试,漏电流检测精度达 1pA
2、高温栅偏压测试(HTGB,High Temperature Gate Bias)
测试条件:150℃下对栅极施加 1.2 倍额定电压,持续 1000 小时
核心目标:评估栅氧化层可靠性,防止栅极击穿失效
适用场景:IGBT 驱动芯片、射频功率放大器
1、晶圆级老化(Wafer Level Burn-in)
测试时机:封装前对整片晶圆进行老化
技术优势:提前剔除无效裸片,降低封装成本 30% 以上
德诺嘉老化测试方案:采用探针卡与温板集成设计,支持 12 英寸晶圆一次性测试,探针间距最小 20μm
2、封装级老化(Package Level Burn-in)
测试时机:封装完成后进行,模拟最终应用环境
关键要求:适配 BGA、QFN 等多种封装,德诺嘉模块测试夹具支持 2 小时内完成不同封装类型切换
芯片老化测试座是连接芯片与测试系统的核心载体,其性能直接决定测试准确性与效率,选配需遵循 "三维匹配" 原则:
1、引脚形态适配
对于 BGA 封装:需采用球栅对位探针阵列,德诺嘉专利的 "浮动探针" 设计可补偿 ±30μm 焊球偏移
对于 QFP 封装:选用鸥翼形引脚专用探针,确保引脚共面性误差≤0.1mm 时仍稳定接触
对于 LGA/OGA 封装:采用平面接触探针,接触面积≥引脚面积的 80% 以降低接触电阻
2、尺寸精度控制
引脚间距<0.5mm 时,需选用高精度探针(定位误差≤±5μm),如德诺嘉0.35mm 间距 BGA 测试座
大尺寸封装(如≥40mm×40mm)需采用刚性基板(如殷钢材质),防止高温下翘曲导致的接触失效
接触电阻:车规芯片要求≤10mΩ(避免压降影响测试精度),工业级芯片可放宽至 50mΩ
带宽支持:高频芯片(如 5G 射频芯片)需测试座寄生电感<0.5nH,德诺嘉同轴探针设计可满足 40GHz 信号传输
电流承载能力:功率芯片测试座单针需支持 5A 以上电流,德诺嘉采用高导电率合金(导电率 95% IACS)探针
1、温度范围盖
车规测试需支持 - 55℃~150℃,德诺嘉采用耐温 200℃的聚酰亚胺绝缘材料
军品测试需扩展至 - 65℃~175℃,需选用陶瓷 - 金属复合结构
2、机械可靠性
插拔寿命:量产测试需≥10 万次(德诺嘉的镀金探针可达 50 万次)
抗振动性能:车载芯片测试座需通过 20Grms 随机振动测试(10-2000Hz)
实时监控能力:高端测试座需集成热电偶(测温精度 ±0.5℃)和微电阻计,德诺嘉智能芯片测试座可实时预警接触不良(响应时间<10ms)
自动化集成:量产线需支持与 ATE 系统联动,谷易电子提供 API 接口,可实现测试数据自动上传与分析
研发验证阶段:优先选通用型测试座(如德诺嘉电子一拖多工位封装兼容款),降低换型成本
量产阶段:选用专用芯片测试座(如非标定制化 BGA 老化座),提升测试效率 50% 以上
车规 MCU 老化测试:针对 BGA257 封装,采用双针电源设计(降低压降),在 150℃ HTOL 测试中保持接触电阻稳定在 8mΩ,良率检测准确率 99.98%
工业 IGBT 老化测试:定制化大电流测试座,单针承载电流 10A,在 HTRB 测试中实现 100 颗 / 批次并行测试
消费电子芯片老化测试:低成本 QFN 测试座,支持 - 40℃~85℃温度循环,满足 JEDEC JESD22-A103 标准